Принцип розщеплення
Формування розщеплення в основному обмежується кристалічну структуру і склад.
Основні причини підсумовуються в п'яти пунктах:
Напрямок електрично нейтралізованої поверхні паралельної кристалічної структури, наприклад, сгалерит (110).
Напрямок поверхневої сітки з найвищою щільністю поверхневої сітки в паралельній кристалічній структурі, наприклад, кам'яна сіль (100).
Напрямок грані з найбільшими гранями в паралельній кристалічній структурі, такі як кам'яна сіль (100).
Напрямок поверхневої мережі, прилеглої до іонів одного і того ж числа в паралельній кристалічному структурі (відштовхується протилежною статтю), такий як фтор (111).
Напрямок поверхневої сітки з найсильнішою силою хімічного зв'язку в паралельній кристалічному структурі, такий як графіт (0001).